“带隙”常见的英文表达是 “bandgap” 或 “band gap”（两者均可，在专业文献中都很常用）。
它指的是在固体物理中，电子能带结构中价带顶部与导带底部之间的能量差，是半导体和绝缘体等材料的重要特性参数。例如：
The bandgap of silicon is about 1.12 eV at room temperature.（硅在室温下的带隙约为1.12电子伏特 。）