“带隙”的常见英文表述是 bandgap（也可写作 band gap），在物理学、材料科学、半导体技术等领域中广泛使用。
bandgap：是更为简洁和常用的拼写形式，在学术文献、专业资料以及日常交流中都很常见。例如：The bandgap of silicon is about 1.12 eV at room temperature.（硅在室温下的带隙约为1.12电子伏特 。 ）
band gap：与bandgap含义相同，这种写法在一些语境中也会使用，二者可以互换。